Монография посвящена исследованию радиационной деградации и оценки радиационной стойкости светодиодов на различных полупроводниковых материалах. Рассмотрены светодиоды, как первого поколения на GaP (красного и жёлто-зелёного цвета свечения), так и нового поколения на базе тройных (AlGaAs, GaAsP) и четверных твердых растворов (AlInGaP, AlInGaN). Значительная часть работы посвящена разработке математической модели облученных гомо- и гетероструктур на базе диффузионных теорий двойной инжекции, подробно проанализированы механизмы деградации данных СИД. Выведены аналитические зависимости силы света от тока, напряжения и флюенса облучения, что позволяет количественно оценить радиационную стойкость всех исследованных гомо- и гетероструктур. Результаты исследований могут быть использованы специалистами, занимающиеся конструированием, производством и применением изделий оптоэлектроники, светодиодов, цифро-знаковых индикаторов и твердотельных излучателей.
