Игорь Яцунский — новинки

Данное учебное пособие предназначено как для студентов экономических и социально-политических дисциплин, так и для студентов естественных факультетов, желающих расширить свои представления о современной отрасли науки - нанотехнологии. Первые две главе посвящены социально-экономическим аспектам нанотехнологий в глобальном мире за последние 5-10 лет. Последние главы описывают основные методы получения и использования наноструктур в передовой науке.

Работа посвящена проблеме изучения проблемы дефектообразования в инжекционных pin-фотоприемниках и влиянию дефектов на их параметры.Поскольку основные параметры полупроводников (время жизни, время свободного пробега и т.п.) сильно зависят от наличия дефектов, это оказывает влияние на такие параметры готовых pin-фотоприемников, как чувствительность, коэффициент усиления тока, время срабатывания, время регенерации, стабильность, избирательность, темновой ток.Показано, что влияние дефектов типа дислокаций на параметры фотоприемников, в основном, происходит вследствие изменения времени свободного пробега носителей зарядов, обусловленного существованием рассеивающих потенциальных барьеров,связанных с дефектами. Монография представляет интерес для широкого круга специалистов, работающих в области изучения проблем дефектообразования и для студентов физических факультетов.

Работа посвящена установлению закономерностей процессов дефектообразования в слоистых структурах диоксид кремния-кремний и приборных системах на их основе, установлению механизмов влияния дефектов на электрофизические характеристики, моделированию процессов токопереноса в этих структурах и системах. При помощи теоретических и экспериментальных методов современных исследований установлены свойства и предложена топологическая модель реальной структуры приповерхностной области в кремниевых слоистых структурах диоксид кремния-кремний, которая основана на исследовании механизма возникновения пластической деформации на границе раздела, что приводит к образованию дефектов в переходной области кремния. Разработанные физические модели токопереноса в контактах металл-кремний в рамках существующих приближений и модель токопереноса в реальных полевых МОП-системах. Предназначена для ширового круга специалистов в области изучения процессов дефектообразования и студентов соответствующих специальностей.

В монографии, на основе проведенных с помощью современных методов исследований определенна реальная дефектная структура приповерхностных слоев кремния в системе Si-SiO2. В результате появления механических напряжений и деформаций в приповерхностной области кремния образовывается сложная структура, которая состоит из области сильно разупорядоченного кремния и области, которая содержит дислокационные сетки. На основе модели приповерхностных слоев окисленного кремния построенная модель токопереноса в инверсионном канале полевых МОП - приборов. Данная модель учитывает факт рассеяния носителей заряда на дислокационных барьерах, которые присутствуют в канале. Глубокие уровни приповерхностного слоя кремния, образованные границами блоков разупорядоченного кремния, влияют на баланс между радиационной чувствительностью и термополевой стабильностью параметров дозиметров поглощающей дозы ионизирующих излучений на основе полевых МОП – транзисторов.